BL8530C BL8530C是一種采用CMOS工藝生產(chǎn)的PFM升壓型DC/DC驅(qū)動電路。最少只要外接四個

器件就可以構(gòu)建成升壓電路：一個功率MOS管，一個電感，一個肖特基二極管和一個濾

波電容。輸入電壓范圍為0.8V~6V，待機電流可低至1uA，無負載靜態(tài)電流典型值僅

20uA，主振蕩器工作頻率350KHz，根據(jù)所選型號可輸出2.5V~6.0V恒定電壓，精度高達

±2%，溫度系數(shù)100ppm/℃，可廣泛應用于各類電池供電的便攜電子設備。

1 U1 BL8530C-502RN(SOT23-5), BL8530C-502RM(SOT23-3)

BL8530C-602RN(SOT23-5), BL8530C-602RM(SOT23-3)

2 Q1 AO3418 N 溝道MOSFET

3 L1 4.7uH 低ESR 功率電感，要求直流電阻小與0.1Ω

4 D1 1N5817 肖特基二極管

5 Cin 10uF/10V 電解電容

6 Cout 100uF/16V 鉭電容

7 R1 10KΩ電阻

8 D2 發(fā)光二極管

本手機應急充器具有線路簡單，效率高的特點, 雙AA 電池供電時充電電流可

達500mA，效率大于80%，充電時發(fā)光二極管會點亮。采用BL8530C-502RN/RM 時

輸出為5V，可應用于充電電壓為5V 的各類手機，采用BL8530C-602RN/RM 時輸出

電壓為6V，可用于諾基亞手機應急充電。電路**率MOS 管選用低開啟電壓、低

導通電阻型，如AO3418、IRF7807V 等，電感必須采用低直流電阻型功率電感，選

取范圍3.3uH~10uH，直流電阻小于0.1 Ω。電感取值為3.3uH 時有利于提高低工

作電壓時的輸出能力，雖然輕負載時輸出紋波會略大，但對于充電應用應該沒有

太大影響。

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1 U1 BL8530C-502RN(SOT23-5)

2 Q1 AO3418 N 溝道MOSFET

3 L1 27uH 低ESR 功率電感，要求直流電阻小與0.1Ω

4 D1 1N5817 肖特基二極管

5 Cin 10uF/47V 電解電容

6 Cout 100uF/16V 鉭電容

7 Cp 1000pF 陶瓷電容